Такі процесори будуть дуже доречними в смартфонах, адже тоді їх можна буде не заряджати тижнями. Також чипи стануть у нагоді для енергоємних операцій на кшталт майнінгу криптовалют.
Компанії IBM і Samsung заявляють, що їм удалося зробити прорив у розробці напів провідників, відкривши нову концепцію вертикального розміщення транзисторів на кристалі. Про це повідомляє видання interestingengineering.com, посилаючись на офіційний пресреліз.
Новий пристрій працює на базі так званих вертикальних транспортних польових транзисторів (Vertical Transport Field Effect Transistors, VTFET), при цьому транзистори розташовані перпендикулярно один до одного, а струм тече вертикально. Це радикально даний новий чипсет від інших сучасних моделей, де транзистори розташовані горизонтально на поверхні кремнію, а електричний струм тече з боку в бік. В IBM і Samsung сподіваються “розширити закон Мура”, вийшовши за межі порога нанолистів і при цьому зробити процесори економнішими щодо енергоспоживання.
“У IBM і Samsung заявляють, що така конструкція дозволить подвоїти продуктивність і знизити енергоспоживання на 85% менше енергії, порівняно з чипами на транзисторах FinFET. Проте ці дві фірми — не єдині, хто тестує цю технологію”, — пише ЗМІ.
Як повідомляє Reuters, Intel також експериментує, встановлюючи процесори один над одним.
“Ставлячи пристрої один на одного, ми явно економимо простір, — сказав Пол Фішер, директор і старший головний інженер відділу досліджень компонентів Intel. — Ми скорочуємо довжину міжз’єднань і дійсно економимо енергію та підвищуємо продуктивність”.
“Такі процесори будуть дуже доречними в смартфонах, адже тоді їх можна буде не заряджати тижнями. Також чипи стануть у нагоді для енергоємних операцій на кшталт майнінгу криптовалют. Але не варто забувати, що в такому разі ми можемо зіткнутися з парадоксом Джевона, який виникає, коли технічний прогрес збільшує ефективність використання ресурсу, але швидкість споживання цього ресурсу також збільшується через збільшення попиту”, — попереджають журналісти.
Нагадаємо, що в травні 2021 року в області напів провідникових матеріалів було здійснено відкриття вченими з MIT, Національного Тайванського університету (NTU) і тайванської компанії з виробництва напів провідників (TSMC). У результаті було створено чип, здатний відсунути “кінець” закону Мура, оскільки дослідникам удалося побудувати процес із використанням хімічного елемента вісмуту. Це дозволило виробляти напів провідники з рівнем нижче 1 нанометра.
